晶体管革命：英特尔宣布3-D三栅极晶体管进入量产

查看评论  发表评论2011年05月05日 16:11分         作者：网界网 周源      来源：CNW.com.cn

很多人都听说过著名的摩尔定律，即晶体管密度大约每18个月便会增加一倍，同时其功能和性能将提高，成本则会降低。40年来，摩尔定律已经成为半导体行业的基本商业模式。然而，随着处理器制程的不断提高，延续摩尔定律也变得越来越困难。

事实上，英特尔的科学家早在2002年就发布了三栅极晶体管设计，接着是单鳍片晶体管展示（2002年）、多鳍片晶体管展示（2003年）、三栅极SRAM单元展示（2006年）、三栅极后栅极（RMG）工艺开发（2007年），直至今日方才真正成熟。这一突破的关键之处在于，Intel可将其用于大批量的微处理器芯片生产流水线，而不仅仅停留在试验阶段。摩尔定律也有望继续保持活力。

不过，在英特尔高级院士马博（Mark Bohr）看来："3-D三栅极晶体管实现了前所未有的性能提升和能耗节省，这一里程碑的意义要比单纯跟上摩尔定律的步伐更深远。低电压和低电量的好处，远远超过我们通常从一代制程升级到下一代制程所得到的好处。它将让产品设计师能够更加灵活地将现有设备创新的更智能，并且有可能开发出全新的产品。"

ARM王位难保?

在记者看来， 尽管3-D 三栅极晶体管在性能上实现了惊人的37%的提升，但其在能耗上的提升，可能对英特尔的未来的影响更深远，甚至可能改变整个移动互联处理器市场格局。

当前，在手持设备和平板电脑处理器领域，ARM占据了90%的市场，可谓当之无愧的老大，而ARM芯片的主要优势就是低能耗。英特尔一直借凌动处理器来进攻该市场，但效果并不是特别理想。主要的理由也就是能耗逊色于ARM芯片。如今，3-D 三栅极晶体管实现了前所未有的低能耗，势必对ARM芯片的王者地位造成巨大挑战。在发布会现场，记者曾经向英特尔半导体（大连）有限公司柯必杰（kirby Jefferson）求证过基于3-D 三栅极晶体管的22奈米芯片与ARM芯片之间能耗孰优孰劣的问题。柯必杰回答说："我还不能给你具体数据，但我们英特尔内部有实验比对数据，我只能说我们的处理器无论是性能还是能耗都有极大的优势。"

不过，英特尔表示，会优先生产基于3-D 三栅极晶体管的服务器和台式机芯片。柯必杰表示那毕竟是目前英特尔的主要领域，无疑，3-D 三栅极晶体管将使得英特尔在22纳米甚至14纳米时代保持巨大的领先优势。

可以预见的是，不久的将来，我们将迎来更轻更薄更高性能也更加环保的各种电子设备。总之，这将又是一场可能影响我们整个社会的技术革命。